• Yeni
YGW50N65F1 N Tipi 100A 650V 312W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör

YGW50N65F1 N Tipi 100A 650V 312W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör

Kategori IGBT
Üretici Made in China
Üretici Kodu YGW50N65F1A
Ürün Açıklama YGW50N65F1 N Tipi 100A 650V 312W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör

YGW50N65F1 N Tipi 100A 650V 312W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör Fiyat Bilgisi

Stok 10 Adet
Teslimat 16:30'a kadar verilen siparişiniz için aynı gün kargo fırsatı
Fiyat ₺258,00 KDV Dahil
Adet

YGW50N65F1 N Tipi 100A 650V 312W TO-247 Diyotlu IGBT Transistör
IGBT | Güç - Tüketimi 312W
Ic | Kollektör Akımı 100A
Vce | Kollektör - Emitter Voltajı 650V
Transistör | Tip IGBT + AntiParallel Diode
IGBT | Kanal Tipi N
Vge | Gate - Emitter Voltajı 20V
Vce | Kollektör - Emitter Satürasyon Voltajı 1.8V
Tj | Birleşme Sıcaklığı 175°C
Rise Time, typ 22nS
IGBT | Çıkış Kapasitansı 130pF
Total Gate Charge, typ 180nC
ProductTypeStatic IGBT
Made in China

Ürün ile ilgili en detaylı bilgiye ulaşmak için üreticiye ait datasheet ( Bilgi Kağıdı ) dosyasını inceleyebilirsiniz.

 Daha fazla göster
 Daha az göster

Benzer Ürünler