MG17300D-BN4MM IGBT modülü, 1700 V gerilim ve 400 A akım kapasitesine sahip olup, 150 °C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilmektedir.

2SC3281 (C3281), NPN 15A 200V 150W TO-3PL Kılıf BJT Transistör

2SC3284, NPN 14A 150V 125W TO-3P Kılıf BJT Transistör

STP10NK60Z, P10NK60Z N-Kanal 10A 600V 115W TO-220 Kılıf Mosfet Transistör

2MBI400VD-120-50 IGBT modülü, 1200 V gerilim, 400 A sürekli akım kapasitesi ve 520 A akım değerine sahip olup, 175 °C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilmektedir.

2SC3306, NPN 10A 500V 100W TO-3P Kılıf BJT Transistör

MIXA450PF1200TSF IGBT modülü, 1200 V gerilim, 650 A akım kapasitesi (25°C'de), 450 A sürekli akım, 2.1 kW güç tüketimi, XPT teknolojisi, SIMBUS F kasa yapısı, 1.8 V VCE sat değeri ve 150 °C jonksiyon sıcaklığı ile birlikte diyot içermektedir.

2SC3310, NPN 5A 500V 20W TO-220FA Kılıf BJT Transistör

2MBI100SC-120 IGBT modülü, 1200 V gerilim, 150 A akım kapasitesi (25°C'de), 780 W güç tüketimi ve 150 °C maksimum jonksiyon sıcaklığı ile çalışmaktadır; ayrıca diod içerir ve şasi montaj tipi ile tasarlanmıştır.

2SC3317, NPN 5A 500V 40W TO-220 Kılıf BJT Transistör

IXA60IF1200NA IGBT modülü, 1200 V gerilim, 88 A akım kapasitesi (25°C'de), 290 W güç tüketimi ve 150 °C maksimum jonksiyon sıcaklığı ile SOT227B (Minibloc) kasa tipinde tasarlanmıştır.

2SC3327, NPN 0.3A 50V 0.2W TO-92S Kılıf BJT Transistör

1MBI400N-120 IGBT modülü, 1200 V gerilim, 480 A akım (25°C'de) ve 400 A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 2.41 kW güç tüketimi ile çalışır; V Series teknolojisi kullanır ve 62x108 mm kasa boyutundadır.

2SC3331, NPN 0.2A 60V 0.5W TO-92 Kılıf BJT Transistör

STP11NM60N, P11NM60N N-Kanal 10A 600V 90W TO-220 Kılıf Mosfet Transistör

STP11NM60ND, P11NM60ND N-Kanal 10A 600V 90W TO-220 Kılıf Mosfet Transistör

2SC3362, NPN 1.5A 500V 10W DPAK Kılıf BJT Transistör

STP120NF10, P120NF10 N-Kanal 110A 100V 312W TO-220 Kılıf Mosfet Transistör

2SC3413, NPN 0.1A 40V 0.3W TO-92S Kılıf BJT Transistör